磁隧道结器件和包括该磁隧道结器件的存储器件.pdfVIP

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2023-02-10 发布于四川
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磁隧道结器件和包括该磁隧道结器件的存储器件.pdf

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提供了在不降低或增加数据保持力的情况下具有快的操作速度的磁隧道结器件和/或包括该磁隧道结器件的存储器件。该磁隧道结器件包括：自由层，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；被钉扎层，面对自由层的第一表面；第一氧化物层，在被钉扎层和自由层之间；以及第二氧化物层，在自由层的第二表面上。自由层包括与第一氧化物层相邻的第一自由层和与第二氧化物层相邻的第二自由层。第一自由层包括未掺非磁性金属的磁性材料，第二自由层包括掺有非磁性金属的磁性材料。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115701270 A (43)申请公布日 2023.02.07 (21)申请号 202210781501.2 H10N 50/01 (2023.01)