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- 2023-02-10 发布于四川
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公开了一种发光二极管，包括：透明衬底；依次位于透明衬底第一表面的第一外延层、有源层、第二外延层，第一外延层与第二外延层的掺杂类型不同；电流扩展层位于第二外延层表面，电流扩展层为台阶状；第一电极，与第一外延层部分接触；第二电极，位于电流扩展层表面，靠近第二电极的电流扩展层的厚度大于靠近第一电极的电流扩展层的厚度。本申请在第二电极与第二外延层之间设置了加厚的电流扩展层，提升了芯片表面的电流分布均匀性，从而避免芯片局部电流集中导致的芯片局部过热、性能降低等问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212434645 U
(45)授权公告日 2021.01.29
(21)申请号 202021129199.5
(22)申请日 2020.06.17
(73)专利权人 杭州士兰明芯科技有限公司
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