一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置.pdfVIP

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2023-02-10 发布于四川
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一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置.pdf

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本申请公开了一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置，包括：提供衬底，所述衬底内具有多个隔离区，所述隔离区于所述衬底隔离出若干个有源区；同时对所述有源区和隔离区进行第一次蚀刻，以形成第一接触通孔，所述第一接触通孔底部于有源区位置处形成凸起有源区；沉积第一介质层，覆盖所述第一接触通孔的侧壁和底部；对第一接触通孔底部进行第二次蚀刻，形成具有目标深度的接触结构。通过往第一接触通孔底部回填第一介质层，再次蚀刻达到目标深度，降低第一接触通孔底部在不同介质层面的高低差，避免后续需要填入接触结构的导电材料

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115700902 A (43)申请公布日 2023.02.07 (21)申请号 202110824913.5 (22)申请日 2021.07.21 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230