集成磁通门装置.pdfVIP

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2023-02-10 发布于四川
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集成磁通门装置.pdf

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一种集成电路，具有衬底、具有在所述衬底上产生的有源区的晶体管的电路、芯结构、第一封装层、第二封装层和氧化物层。芯结构形成在上述电路上方。第一封装层覆盖芯结构，并且具有第一热膨胀系数。第二封装层覆盖芯结构上面的第一封装层，并且具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数。氧化物层形成在第二封装层上方。氧化物层包括足以减轻第一封装层和第二封装层之间热应力的氧化物厚度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108475724 A (43)申请公布日 2018.08.31 (21)申请号 20178