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本发明公开了一种改善Flipchip晶圆电路层裂纹的方法，包括：基板改进和FCbump的工艺改进。本发明可以分为主动回避和被动降压两种方法，其中关于主动回避采用的是在对基板的unit设计时，主动加大pad之间的距离，从而使得芯片在进行bump的过程中，金球之间的距离增大，散热面积加大，从而使得电路层散热加快，进而使得电路层出现裂纹的几率减少，关于被动降压则是在芯片的制程中，被动降低芯片对于低介电常数材料的压力，在保证连接稳定性和电路连通的前提下，对于低介电常数材料的压力减小，使得金球受压变形
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114400214 A
(43)申请公布日 2022.04.26
(21)申请号 202210012117.6
(22)申请日 2022.01.07
(71)申请人 广东气派科技有限公司
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