含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法.pdfVIP

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2023-02-15 发布于四川
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含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法.pdf

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含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法：将一氧化硅颗粒和硅颗粒加入到无水乙醇中混合，超声分散；加入树脂，加热使树脂溶解，搅拌研磨，喷雾干燥；热处理，使树脂先发泡再碳化；在表面放置镁片，真空条件下热处理；放入化学气相沉积炉中，进行表面碳沉积，即成。本发明所得含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料具有独特的双层包覆结构，小粒径一氧化硅和硅化镁均匀分散在碳材料中，用于制作锂离子电池负极，锂化速率提高3~4.5倍；本发明制备方法，操作简单，成本低，易于工业化生产；所得电池负极材料能大幅度提高锂

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111816855 A (43)申请公布日 2020.10.23 (21)申请号 202010696593.5 H01M 4/62 (2006.01)