一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法.pdfVIP

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2023-02-15 发布于四川
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一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法.pdf

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本发明提供了一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括先后进行的正面磷扩散与背面硼扩散；所述正面磷扩散包括依次进行的扩磷预处理、扩磷前氧化、第一次通磷源、磷推进、第一次扩磷降温、第二次通磷源、第二次扩磷降温、第三次通磷源与扩磷后氧化；所述背面硼扩散包括依次进行的扩硼预处理、扩硼升温、第一次通硼源、第一次硼推进、第一次扩硼降温、第二次通硼源、第二次硼推进、第二次扩硼降温与扩硼后氧化。本发明提供的扩散方法实现了硅片中较为均匀的方阻分布，进一步减少了硅片表面的“死层”，降低了少子的复合损

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314640 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110576511.8 (22)申请日 2021.05.26 (71)申请人横店集团东磁股份有限公司