沟槽MOSFET及其制造方法.pdfVIP

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2023-02-15 发布于四川
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沟槽MOSFET及其制造方法.pdf

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公开了一种沟槽MOSFET及其制造方法，所述方法包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽，所述半导体基底为第一掺杂类型；在所述沟槽内形成绝缘层和电极导体；在所述电极导体和半导体基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；以所述第一阻挡层为掩膜，刻蚀部分所述半导体基底以形成接触孔；以及采用自对准工艺，通过所述接触孔在所述半导体基底中形成体接触区，所述体接触区为第二掺杂类型。本发明提供的方法不仅简化了工艺，还解决了栅源接触的对准偏差问题，改善了工艺的一致性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111710608 A (43)申请公布日 2020.09.25 (21)申请号 20201