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2023-02-15 发布于四川
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半导体结构.pdf

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本实用新型提供一种半导体结构包括Si衬底、绝缘层及Cu柱，其中，Cu柱位于Si衬底中，绝缘层包覆Cu柱的侧壁及底部并与Si衬底相接触，且Cu柱与绝缘层具有第一高度差D1，Si衬底与绝缘层具有第二高度差D2，且第二高度差D2大于第一高度差D1；由于Cu柱与绝缘层具有第一高度差D1，可有效避免对器件的电性能造成影响；进一步的，由于Si衬底与绝缘层具有第二高度差D2，且第二高度差D2大于第一高度差D1，从而可进一步的避免绝缘层内外侧Cu金属的连接，以有效避免对器件的电性能造成影响。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212570982 U (45)授权公告日 2021.02.19 (21)申请号 202021912435.0 (22)申请日 2020.09.04 (73)专利权人中芯长电半导体（江阴）有限公司