一种单晶炉.pdfVIP

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2023-02-15 发布于四川
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本实用新型提供一种单晶炉，包括炉盖和主炉室，还具有若干用于监测所述主炉室石英坩埚中熔硅液面上设定区域内的温度监控装置，所述监控装置置于所述炉盖内侧且被置于所述主炉室导流筒的斜上方；所述监控装置均朝所述设定区域方向倾斜设置。本实用新型通过设置用于熔硅液面尤其是靠近中心位置处的温度，实现熔硅液面温度监控自动调整，以保证稳温拉制工序中固液界面温度的横定，为后续成功引晶奠定基础，监控区域设置合理，监控温度精准且易于控制，实现熔硅液面温度的自动调节,从而保证单晶晶体生长温度梯度的一致性，提高生产效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212582034 U (45)授权公告日 2021.02.23 (21)申请号 202020631597.0 C30B 29/06 (2006.01) (22)申请日 2