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一种高压大驱动高电源抑制比LDO，属于LDO技术领域。本实用新型针对现有技术中为提高电源抑制比对带片外电容LDO电路进行的改造，存在噪声大及电路稳定性差的问题。包括共源共栅阻性源退化电路和动态补偿电路，所述共源共栅阻性源退化电路采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；动态补偿电路对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。本实用新型可使输出电压噪声大幅度降低，并保证工作点稳定。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212569574 U
(45)授权公告日 2021.02.19
(21)申请号 202021662092.7
(22)申请日 2020.08.11
(73)专利权人 英彼森半导体（珠海）有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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用户编号：8063122115000010
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