一种Trench MOS功率器件.pdfVIP

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2023-02-16 发布于四川
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一种Trench MOS功率器件.pdf

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本实用新型公开了一种TrenchMOS功率器件，涉及半导体功率器件技术领域。用于降低器件导通电阻的同时，可以有效保障击穿电压。包括：外延层，栅极沟槽和注入埋层；所述栅极沟槽设置在所述外延层上；所述注入埋层位于所述栅极沟槽的正下方，且与所述栅极沟槽的底部以及侧壁相接触，所述注入埋层包括N型埋层和P型埋层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212587514 U (45)授权公告日 2021.02.23 (21)申请号 202021493617.9 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2020