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一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构.pdfVIP

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  • 2023-02-17 发布于四川
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一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构.pdf

    本实用新型涉及电子设备技术领域，具体涉及一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构，旨在解决现有技术中整个栅极下面全是耗尽，导致在正常工作电压工作时，导通电流不够或者说导通电阻较大的技术问题，其技术要点在于包括基材，所述基材表面覆盖有高电阻层及阻挡层，所述阻挡层表面设置有栅极，所述栅极与所述阻挡层之间设置有p‑GaN层。通过栅极两端下面的p‑GaN层导致对应区域沟道载流子耗尽，保证了器件的常关特性，同时栅极中间区域下方并没有设置p‑GaN层，不会导致中间区域的沟道载流子耗尽，这样在正常工作时，可以保证

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212648248 U (45)授权公告日 2021.03.02 (21)申请号 202021692299.9 (22)申请日 2020.08.13 (73)专利权人 无锡先仁智芯微电子技术有限公

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