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本实用新型公开了一种防水性能高的半导体，包括半导体外壳，所述半导体外壳的左侧设置有阳极引线，所述阳极引线的右侧电性连接有金属触丝，所述金属触丝的另一端电性连接有N型锗片，所述N型锗片的另一侧电性连接有阴极引线，所述半导体外壳的表面设置有防护层，防护层包括耐腐蚀层、防水层、散热层、加强层和绝缘层。本实用新型通过设计耐腐蚀层，避免空气中的酸性液体腐蚀防水层，提高半导体的使用寿命，通过设计防水层，避免空气的水分渗透进入半导体的内腔，提高防水效果，通过设计散热层，导热系数高的材质可以加快热量的传递，避免
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212676241 U
(45)授权公告日 2021.03.09
(21)申请号 202021533250.9 B32B 9/00 (2006.01)
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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