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n型SnS薄膜、光电转换元件、太阳能电池、n型SnS薄膜的制备方法以及n型SnS薄膜的制备装置.pdfVIP

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  • 2023-02-18 发布于北京
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n型SnS薄膜、光电转换元件、太阳能电池、n型SnS薄膜的制备方法以及n型SnS薄膜的制备装置.pdf

    本发明提供一种n型SnS薄膜，该n型SnS薄膜的平均厚度为0.100μm‑10μm，在光子能量1.1eV下的吸收系数α1.1与在光子能量1.6eV下的吸收系数α1.6之比(α1.1/α1.6)为0.200以下，S含量与Sn含量的原子比为0.85‑1.10，具有n型传导性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115702118 A (43)申请公布日 2023.02.14 (21)申请号 202180042777.2 (74)专利代理机构 北京润平知识产权代理有限

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