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- 2023-02-21 发布于四川
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本实用新型提供一种集成门极吸收电路的功率半导体模块,属于芯片技术领域。所述功率半导体模块包括:基板;硅芯片,包括通过硅电容器技术连接的门极吸收电容和阻尼电阻,所述硅芯片的背面端子设置于所述基板上;功率半导体芯片,包括多个门极端子;第一引线,所述第一引线的一端与所述硅芯片的正面端子连接,所述第一引线的另一端与所述功率半导体芯片的一个门极端子连接;以及第二引线,所述第二引线的一端与所述硅芯片的背面端子连接,所述第二引线的另一端与所述功率半导体芯片的另一个门极端子连接。该功率半导体模块在满足滤除开关过
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212750884 U
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202021522866.6
(22)申请日 2020.07.28
(73)专利权人 致瞻科技(上海)有限公司
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