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一种LED外延片.pdfVIP

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  • 2023-02-21 发布于四川
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一种LED外延片.pdf

    一种LED外延片，包括从衬底向上依次生长的ALN薄膜、第一U型铝镓氮层、第二U型铝镓氮层、N型铝镓氮层、应力释放GaN层，InGaN/GaN有源区、P型GaN层、重掺杂P型GaN接触层；所述第一U型铝镓氮层的上表面具有纳米级凹凸图案。本方案的外延片通过设计第一U型GaN层上的凹凸图案及其子图案，再次进行外延第二U型GaN层的生长，能够使得在侧向生长过程中部分位错逐渐合并，同时在侧向生长的过程中，部分蓝宝石和ALN层产生的位错发生弯曲，相互湮灭，有效降低了U型GaN薄膜的位错密度，从而最终获得了表

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212750917 U (45)授权公告日 2021.03.19 (21)申请号 202021646296.1 (22)申请日 2020.08.10 (73)专利权人 福建兆元光电有限公司

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