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功率器件IGBT.pdfVIP

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  • 2023-02-22 发布于四川
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功率器件IGBT.pdf

    本实用新型提供一种功率器件IGBT，包括：衬底；位于衬底的第一表面的有源区；位于衬底的第一表面和第二表面之间的漂移区；位于衬底的第二表面的集电区，其中，漂移区连接有源区和集电区；集电区包括交替划分的第一区域和第二区域，其中，第一区域的面积大于第二区域的面积，第一区域和第二区域的导电类型不同。本实用新型的功率器件IGBT，能够在器件正向导通时，提前产生0.7V的压降，提前促使P+N结的正向导通，使第一区域空穴注入漂移区，形成电导调制，降低器件的压降；在器件关断期间，通过第二区域通道可以提供大量电子

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212783458 U (45)授权公告日 2021.03.23 (21)申请号 202021527269.2 (22)申请日 2020.07.28 (73)专利权人 江苏宏微科技股份有限公司

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