原创力文档- 0
- 0
- 约1.08万字
- 约 15页
- 2023-02-22 发布于四川
- 举报
本实用新型提供了一种复合衬底及LED结构，复合衬底包括层叠设置的衬底、第一半导体层以及介质层，介质层远离衬底一侧的表面具有至少贯穿介质层的凹槽；第二半导体层，第二半导体层保型地形成于凹槽的侧壁以及介质层上；LED结构包括上述复合衬底以及层叠设置于复合衬底上的第三半导体层、发光层以及第四半导体层，第三半导体层和第四半导体层导电类型相反；通过在第一半导体层上设置图形化介质层以及保型覆盖的第二半导体层，可使得生长于第二半导体层上的外延层应力得到侧向释放，避免衬底翘曲，进一步提高LED结构的晶体质量。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218498087 U
(45)授权公告日 2023.02.17
(21)申请号 202221274145.7
(22)申请日 2022.05.25
(73)专利权人 苏州晶湛半导体有限公司
地址 2
文档评论（0）