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- 2023-02-23 发布于北京
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本实用新型公开种沟槽型MOS晶体管，其硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖于沟槽、重掺杂N型源极区和P型掺杂阱层上表面面；所述沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱；所述沟槽的下部和底部均包覆有一位于所述N型掺杂外延层内的P型中掺杂区。本实用新型沟槽型MOS晶体管可提高轻掺杂N型漂移区的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212810310 U
(45)授权公告日 2021.03.26
(21)申请号 202021212352.0
(22)申请日 2020.06.28
(73)专利权人 苏州硅能半导体科技股份有限公
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