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本实用新型公开了一种双APD器件,其包括第一雪崩二极管、第二雪崩二极管、温控装置、管壳以及安装块,其中:第一光纤与第一雪崩二极管耦合,第二光纤与第二雪崩二极管耦合;温控装置用于测量并调整第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管处的温度;管壳内形成腔体,第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管均背离于安装块、分别设置于安装块两侧面,并均与安装块固定连接。本实用新型采用了双APD封装在一个管壳内,温控装置接受温度传感器测得的温度来驱动半导体制冷器,使腔体内温度保持定值。第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管均背离安装块设
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212848418 U
(45)授权公告日 2021.03.30
(21)申请号 202021397200.2
(22)申请日 2020.07.15
(73)专利权人 武汉六九传感科技有限公司
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