南京航空航天大学2021年[电离辐射探测学]考研真题.docxVIP

南京航空航天大学2021 年[电离辐射探测学]考研真题 一、选择题 1、利用高纯锗探测器测得的Y 能谱上出现了双逃逸峰，其形成可归因于： (1)电子和正电子逃逸出探测器的灵敏区域； (2)康普顿散射光子和反冲电子逃逸出探测器的灵敏区域； (3)正电子湮灭产生的两个光子逃逸出探测器的灵敏区域； (4)正电子和湮灭的一个光子逃逸出探测器的灵敏区域。 2、Y射线能谱上的反散射峰的存在可以归因于： (1)探测器晶体中康普顿反散射； (2)探测器周围材料中康普顿反散射； (3)探测器周围材料中湮灭光子； (4)探测器晶体中的多次康普顿散射。 3、用电离辐射探测器测量Y射线能谱时，在全能峰与康普顿边缘之间除了本底 造成的计数外，下列哪个因素产生计数? (1)光电效应； (2)周围材料的康普顿散射； (3)探测材料中多次康普顿散射； (4)康普顿背散射。 4、在半导体探测器中， PN 结区的厚度决定探测器的探测效率和测量能量范围， 如何增加结区的厚度? (1)增加P 区和N 区的厚度； (2)增加加载在PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度； (3)增加加载在PN 结上的偏压，减小半导体材料的杂质浓度； (4)减小加载在PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度； 5、电离辐射能谱可以分成单线谱和连续谱两大类，下列哪组辐射全是单线谱? (1)a、β、Y 辐射 (2)a、 内转电子、正电子湮