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2023-03-01 发布于四川
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电阻测试结构.pdf

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本实用新型提供一种电阻测试结构，有利于接触孔电阻的测试。电阻测试结构包括：第一晶体管和第二晶体管，共用同一源区和阱区，第一晶体管包括第一栅门、第一漏区以及源区，第二晶体管包括第二栅门、第二漏区以及源区；后端导线，位于源区之上，且与所述源区相垂直；接触孔，位于源区与后端导线之间，用于实现后端导线与源区的互连；第一通孔，连接第一栅门与第二栅门；第二通孔和第三通孔，均设置在后端导线上，且位于接触孔的两侧；第四通孔和第五通孔，分别设置于第一漏区和第二漏区上；第六通孔，设置于阱区上；以及六组测试节点，包括

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213026120 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202022359891.3 (22)申请日 2020.10.21 (73)专利权人普迪飞半导体技术(上海)有限公