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- 2023-03-02 发布于北京
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本实用新型提供一种半导体芯片制造离子注入机，涉及半导体芯片制造离子注入技术领域。该半导体芯片离子注入机，包括金属外壳，金属外壳底部固定连接有移动装置，金属外壳一侧固定连接有推杆，金属外壳顶部靠近推杆一端贯穿固定连接有进气口，进气口底部固定连接有气体箱，气体箱底部固定连接有支撑板，气体箱底部固定连接有输气管。该半导体芯片离子注入机，经过离子筛选箱筛选废弃的离子通过输入管，经过离子加速箱加速，再一次进入离子筛选箱，进行筛选，直至离子全部通过离子筛选箱，移动装置由减震装置与车轮构成，可以方便移动离子注
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213093170 U
(45)授权公告日 2021.04.30
(21)申请号 202022635031.8
(22)申请日 2020.11.13
(73)专利权人 黄莉斯
地址 51
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