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一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构.pdfVIP

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  • 2023-03-02 发布于北京
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一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构.pdf

    本实用新型公开了一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，包括芯片基层，芯片基层的正表面设有不少于两个芯片压区，每个芯片压区正面通过再分布引线引出，凸块下金属化层的接触端与再分布引线的开口区连接，凸块下金属化层上方有焊接凸点，凸块下金属化层下方依次设有第一再钝化层、第二再钝化层和钝化层。本实用新型的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，可以简化晶圆级封装的工艺流程，通过再布线层连接，可以将芯片上多个芯片压区布局在同一区域，并在连接在同一个UBM层下方，即不需要多层再布线层即可实现相同功能芯片压区

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213093192 U (45)授权公告日 2021.04.30 (21)申请号 202120627437.3 (22)申请日 2021.03.29 (73)专利权人 江苏芯德半导体科技有限公司

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