原创力文档- 8
- 0
- 约4.98千字
- 约 6页
- 2023-03-02 发布于北京
- 举报
本实用新型公开了一种背硅刻蚀型剪切波滤波器，该滤波器包括：硅衬底、压电材料层以及顶部电极，所述顶部电极采用石墨烯制成；所述压电材料层覆盖在所述硅衬底上，所述硅衬底设有多个凹槽以使所述压电材料层位于所述凹槽处的下表面能够与空气接触，所述顶部电极设置在所述压电材料层的上表面。该背硅刻蚀型剪切波滤波器采用石墨烯作为顶部电极，可以极大地减小滤波器的电学损耗以及插入损耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213125989 U
(45)授权公告日 2021.05.04
(21)申请号 202020921635.6
(22)申请日 2020.05.27
(73)专利权人 广州市艾佛光通科技有限公司
文档评论（0）