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高边驱动器.pdfVIP

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  • 2023-03-02 发布于四川
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高边驱动器.pdf

    本实用新型涉及栅极驱动电路。本实用新型提供一种更简易的电路结构且使用了N沟道MOSFET的栅极驱动电路的高边驱动器。一种对功率半导体开关进行驱动的高边驱动器电路，其具备：主开关N沟道MOSFET，漏极端子连接于电源的正侧Vdc，源极端子连接于对功率半导体开关进行驱动的信号的OUT端子；电荷蓄积电路，从Vdc蓄积电荷；带电压检测功能的开关，检测电荷蓄积电路的输出端子与Vdc的电压差，在检测到电荷蓄积电路的输出端子电压比电源的正侧Vcc的电压高一定电压以上的情况下，向所述主开关N沟道MOSFET的栅

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213072610 U (45)授权公告日 2021.04.27 (21)申请号 202022132782.8 (22)申请日 2020.09.25 (30)优先权数据 2019-1777

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