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- 2023-03-02 发布于北京
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本实用新型提供了一种存储器，第一支撑层横向支撑第一电极的侧壁的顶部，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上，掺碳的第一绝缘层具有较好的抗刻蚀能力，能够降低制备存储器时所述第一支撑层被其他刻蚀工艺破坏的程度，也即只有所述第一支撑层顶部被破坏，而所述第一支撑层的底部是完好的，可以保证所述第一支撑层的支撑效果；并且，虽然所述第一绝缘层掺碳会造成漏电，但是只有所述第一绝缘层掺碳，所述第二绝缘层是不掺碳的，相对现有技术可降低漏电情况，进而提高存储器的性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213093203 U
(45)授权公告日 2021.04.30
(21)申请号 202022512751.5
(22)申请日 2020.11.03
(73)专利权人 福建省晋华集成电路有限公司
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