1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体存储装置.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.69万字
  • 约 24页
  • 2023-03-02 发布于北京
  • 举报

半导体存储装置.pdf

    本实用新型公开了一种半导体存储装置，包含一基底、多个有源区、多个第一导线以及至少一第一插塞。有源区相互平行地沿着第一方向延伸，第一导线横跨有源区，其中，各该第一导线具有相对的第一端与第二端。该第一插塞设置在该第一导线的该第一端上，电连接该第一导线，其中，该第一插塞整体包覆该第一导线的该第一端，并直接接触该第一端的顶面、侧壁以及端面。如此，可增加该插塞与第一导线之间的接触面积，降低该插塞的接触电阻，进而提高该插塞与第一导线电连接的可靠度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213093202 U (45)授权公告日 2021.04.30 (21)申请号 202022312766.7 (22)申请日 2020.10.16 (73)专利权人 福建省晋华集成电路有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >