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- 2023-03-02 发布于北京
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本申请提供一种晶圆刻蚀装置和晶圆处理设备,晶圆刻蚀装置包括刻蚀槽和气体输入件,刻蚀槽包括底壁和多个侧壁,多个侧壁围合底壁而形成容纳空间,容纳空间用于容置刻蚀液和晶圆;气体输入件包括相互连通的进气部和出气部,进气部用于向出气部输入气体,出气部位于容纳空间内,出气部开设有背向底壁的多个出气孔,出气部的延伸方向为第一方向,在远离进气部的第一方向上,多个出气孔的孔径逐渐增大。通过设置在远离进气部的第一方向上,多个出气孔的孔径逐渐增大,逐渐增大的孔径可以对末端出气孔的流量不足作出补偿,化学均匀性较高,使得
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213093176 U
(45)授权公告日 2021.04.30
(21)申请号 202022351143.0
(22)申请日 2020.10.20
(73)专利权人 长江存储科技有限责任公司
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