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一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚.pdfVIP

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  • 2023-03-04 发布于四川
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一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚.pdf

    本申请提供了一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚，通过将坩埚体分为上坩埚体和下坩埚体两部分结构，并且，设置坩埚盖扣合在上坩埚体的顶部，上坩埚体的底部与下坩埚体的顶部连接；下坩埚体的电阻率小于上坩埚体的电阻率，上坩埚体的电阻率小于或等于坩埚盖的电阻率。在碳化硅单晶生长时，由于下坩埚体的石墨电阻率低于上坩埚体的石墨电阻率，相应的下坩埚体的坩埚壁交变电流要比上坩埚体大，加热效率高，使得与之接触的碳化硅多晶粉料温度高；上坩埚体以及坩埚盖的石墨电阻率高于下坩埚体的石墨电阻率，相应的其产生的交变电流相对小，使

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213172678 U (45)授权公告日 2021.05.11 (21)申请号 202021742009.7 (22)申请日 2020.08.20 (73)专利权人 广州南砂晶圆半导体技术有限公

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