DDR3存储器.pdfVIP

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  • 2023-03-04 发布于四川
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本实用新型公开了一种DDR3存储器,包括:功能板、底板及灌封层。功能板上设有若干DDR3芯片及若干电阻,若干DDR3芯片的数据组信号线、时钟信号线、地址信号线及控制信号线分别对应并联,若干DDR3芯片的地址信号线及控制信号线分别通过若干电阻与终端电压电性连接。底板设置于功能板下方,底板底面焊接有若干引脚。若干引线桥分别设置于功能板上及底板上,与若干DDR3芯片、若干电阻以及若干引脚对应电性连接。灌封层将底板及功能板灌封于内,引脚延伸出灌封层的表面。根据上述技术方案的DDR3存储器,地址信号线及控

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213183602 U (45)授权公告日 2021.05.11 (21)申请号 202021835752.7 (22)申请日 2020.08.28 (73)专利权人 珠

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