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- 2023-03-05 发布于北京
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本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了三维存储器中的互连结构，包括上层导线与下层导线，所述下层导线的顶端设置有第一连接极柱，所述第一连接极柱的上端连接有第一转接垫，所述第一转接垫的下部一侧连接有第二连接极柱，所述第二连接极柱的底端设置有第二转接垫，所述第二转接垫的上部一侧设置有第三连接极柱，所述第三连接极柱的顶端连接上层导线，所述第一转接垫、第二转接垫上均设置有连接机构。本实用新型通过设置的连接机构实现了第一转接垫、第二转接垫与第一连接极柱、第二连接极柱、第三连接极柱的快速连接固定，使定位柱旋
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212158 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202022822086.X
(22)申请日 2020.11.30
(73)专利权人 深圳市华金安存科技有限公司
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