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逆导半导体可控硅.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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逆导半导体可控硅.pdf

    本实用新型公开一种逆导半导体可控硅，其可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔；所述二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212155 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202021861348.7 (22)申请日 2020.08.31 (73)专利权人 苏州兴锝电子有限公司

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