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- 2023-03-05 发布于北京
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实用新型公开了一种TFT阵列基板结构，基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；第一TFT区域制作第一有源层，第一有源层划分为沟道区域和导体化区域；沟道区域上制作第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上制作第一金属层；制作隔离层，蚀刻位于第二TFT区域上的所隔离层；蚀刻隔离层，形成两个第一通孔；同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，第一源极、第一漏极通过两个第一通孔与有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于第二TFT区域上。通过TFT阵列基板定义为两个区域，减少第二TFT退火制程H离子扩散，提升第二T
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212166 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202022089818.9
(22)申请日 2020.09.22
(73)专利权人 福建华佳彩有限公司
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