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- 2023-03-05 发布于北京
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本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种集成栅保护结构的SiCMOSFET器件，所述SiCMOSFET器件从边缘向中心依次包括划片槽区和终端区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；其特征在于，所述栅跑道和所述源跑道之间集成了两个或多个反向串联的多晶硅pn二极管结构，作为器件的栅保护结构。本实用新型通过在芯片上集成栅保护器件，当器件的栅极电压超过最大允许电压时，栅保护器件发生击穿，使栅源电压钳位在最大允许的电压，保护
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212164 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202022112680.X
(22)申请日 2020.09.24
(73)专利权人 芜湖启源微电子科技合伙企业
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