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带铁电或负电容材料的器件及包括该器件的电子设备.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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带铁电或负电容材料的器件及包括该器件的电子设备.pdf

    公开了一种栅电极侧壁上具有铁电或负电容材料层的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；在衬底上形成的栅电极；在栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及衬底上位于栅电极相对两侧的源区和漏区。通过调节铁电或负电容材料层的材料，可以容易地调节器件特性，如阈值电压(Vt)、漏致势垒降低(DIBL)、亚阈值摆幅(SS)等。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212171 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202021936298.4 (22)申请日 2020.09.07 (73)专利权人 中国科学院微电子研究所

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