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一种850nm波段单载流子高速探测器.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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一种850nm波段单载流子高速探测器.pdf

    本实用新型涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段单载流子高速探测器，其不同之处在于：其包括入射端，所述入射端上由下至上依次包括衬底、第一收集层、第二收集层、过渡层、p型多量子阱吸收层、p型阻挡层和p型接触层，还包括正电极层和负电极层，所述正电极层位于所述p型接触层上，所述负电极层位于所述第一收集层上且位于所述第二收集层的一侧。本实用新型适于850nm波段工作，有利于提高探测器响应速率，增大探测带宽。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212174 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022614993.5 (22)申请日 2020.11.12 (73)专利权人 江

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