一种基于P沟道MOSFET的过压保护叉车装置.pdfVIP

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2023-03-06 发布于四川
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一种基于P沟道MOSFET的过压保护叉车装置.pdf

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本实用新型涉及一种基于P沟道MOSFET的过压保护叉车装置，包括外壳，所述外壳内设置有绝缘层，所述绝缘层中设置有金属化电极，所述金属化电极包括栅极和漏极，所述栅极和漏极之间设置有源极，所述外壳底部设置有N型硅半导体薄片，所述栅极与N型硅半导体薄片相连，所述栅极与漏极连接有电源和电流表，所述栅极与源极之间设置有电压表。当栅极和源级电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流大小。可以对叉车起到过压保护。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213265604 U (45)授权公告日 2021.05.25 (21)申请号 202020668429.9 (22)申请日 2020.04.27 (73)专利权人杭州丰乐电子科技有限公司