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一种VDMOS器件.pdfVIP

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  • 2023-03-07 发布于四川
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一种VDMOS器件.pdf

    本实用新型公开了一种VDMOS器件，具有场板结构，该结构能够起到屏蔽与补偿可动离子的作用，仿真结果显示该结构能有效降低器件的表面电场强度。技术方案包括：N型芯片衬底，所述N型芯片衬底上设有至少两道P型沟槽，每道P型沟槽内设有N型栅区；栅极氧化层，覆盖于N型芯片衬底上，遮覆P型沟槽；栅极接触电极，覆盖于栅极氧化层上；场氧化层，覆盖于栅极接触电极上；源极接触电极，覆盖于场氧化层上，源极接触电极上设有凹陷，用于与有源区部分导电连通。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213304146 U (45)授权公告日 2021.05.28 (21)申请号 202021577536.7 (22)申请日 2020.07.31 (73)专利权人 南京明尼晶磁电子科技有限公司

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