一种压下式位移传感器.pdfVIP

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  • 2023-03-08 发布于四川
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本实用新型公开了传感器领域内的,特别涉及一种压下式位移传感器,该压下式位移传感器,包括外壳,该外壳包括上壳体及下壳体,上壳体与下壳体拼合有一容纳电子元件的腔室;接收部,其位于外壳内,包括一下压柱,该下压柱的一侧设置有磁性元件,另一侧设置有电路板,该电路板上设置有霍尔元件,下压柱的顶部设置有外露于上壳体的连杆,底部设置有与下壳体设置的复位压簧;以及输出部,其位于接收部的一侧,并通过连接器接入外壳。本实用新型寿命长、免维护,可直观感知位移变化量,精密控制。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213335945 U (45)授权公告日 2021.06.01 (21)申请号 202022528629.7 (22)申请日 2020.11.05 (73)专利权人 扬州东博电子科技有限公司

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