半导体物理与器件公式以及参数.docx

半导体物理与器件公式以及参数 KT = 0.0259ev N c = 2.8 ? 1019 Nv = 1.04 ? 1019 SI 材料的禁带宽度为：1.12ev. 硅材料的ni = 1.5 ? 1010 Ge 材料的ni = 2.4 ? 1013 GaAs 材料的ni = 1.8 ? 106 介电弛豫时间函数：瞬间给半导体某一外表增加某种载流子，最终达 到电中性的时间，ρ(t) = ρ(0)e?(t/τd)，其中τd = ? ，最终通过证 σ 明这个时间与一般载流子的寿命时间相比格外的短暂，由此就可以证明准电中性的条件。 F FiE 热平衡状态下半导体的费米能级，E 本征半导体的费米能