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- 2023-03-10 发布于北京
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本实用新型片上电磁反向散射耦合天线装置,其特征在于,所述的天线装置可以和超高频芯片一起通过CMOS工艺制造且CMOS工艺制造完成后是一个独立的带有收发天线的超高频电子标签;所述的天线装置可以直接利用于金属表面或者其他能够干扰金属天线的物体表面;所述的天线装置减小超高频标签天线面积,使其缩减为毫米级;所述的天线装置无需通过倒封装技术连接芯片与天线;所述的天线装置增加超高频标签的性能和一致性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213423997 U
(45)授权公告日 2021.06.11
(21)申请号 202021855335.9
(22)申请日 2020.09.03
(73)专利权人 上海明矽微电子有限公司
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