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陕西HJT靶材技术研发项目建议书_范文.docx

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    泓域咨询/陕西HJT靶材技术研发项目建议书 陕西HJT靶材技术研发项目 建议书 xx（集团）有限公司 报告说明 金属-半导体界面（TCO薄膜-非晶硅界面）：TCO薄膜应选取低功函数的材料以利于电子向金属电极迁移。TCO-I锡含量越多，功函数越低，但透光率越差，因此膜厚度控制在5-20nm。 根据谨慎财务估算，项目总投资1473.57万元，其中：建设投资946.29万元，占项目总投资的64.22%；建设期利息9.75万元，占项目总投资的0.66%；流动资金517.53万元，占项目总投资的35.12%。 项目正常运营每年营业收入4900.00万元，综合总成本费用3965.83万元，净利润

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