一种基于二维硒化铟光存储器件.pdfVIP

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2023-03-11 发布于四川
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一种基于二维硒化铟光存储器件.pdf

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本发明涉及一种基于二维硒化铟光存储器件，其特征在于包括金属条、二维硒化铟、石墨、SiO2层、Si层和铬；SiO2/Si作为衬底，衬底上设有铬层，铬层上设有两个金属条作为电极，相互之间设有沟道；一个金属电极上设有少层石墨，从单侧电极表面并充分覆盖电极内侧边缘且不搭接另一侧电极；二维硒化铟薄片搭接在另一侧金属电极与石墨电极之间，形成金属‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极；其中金属电极与电压源的正极相接，石墨电极与电压源的负极相接。本发明光存储器件工作时只需要调控源极和漏极之间的电压以及外部光照，即可实现对

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213459741 U (45)授权公告日 2021.06.15 (21)申请号 202022362007.1 G11B 7/2433 (2013.01)