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- 2023-03-11 发布于四川
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本实用新型提供了一种基于Ho：SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器，包括半导体激光器、耦合透镜组、Tm：YLF晶体、第一凹面全反镜、第一凹面全反镜、Ho：SSO可饱和吸收体、输出镜；所述半导体激光器的输出端与耦合透镜组相对，所述耦合透镜组与Tm：YLF晶体相对，所述Tm：YLF晶体与第一凹面全反镜的凹面相对，所述第一凹面全反镜与第二凹面全反镜的凹面相对，所述第二凹面全反镜与Ho：SSO可饱和吸收体的输入端相对，所述Ho：SSO可饱和吸收体的输出端与输出镜的输入端相对。本实用新型能够稳定的、低阈值全
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213460459 U
(45)授权公告日 2021.06.15
(21)申请号 202022682385.8
(22)申请日 2020.11.19
(73)专利权人 南
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