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本实用新型公开了一种改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，所述炉管机台具有一反应室，所述反应室内装载有硅片，所述反应室内设有两根进气管，所述进气管上分布有出气孔，其中一根进气管为上进气管，另一根进气管为下进气管。本实用新型的炉管机台中，两根进气管中的一根进气管由下至上进气，另一根进气管则由上至下进气，这样使得炉管机台的反应室中上部硅片和下部硅片表面的吹扫气体流量均匀，硅片表面都可能得到均匀充足的吹扫，各硅片表面的反应条件相近，因此上下部硅片表面沉积的薄膜厚度均匀性提高，从而显著改善炉管机台整批硅片
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213447296 U
(45)授权公告日 2021.06.15
(21)申请号 202021823883.3
(22)申请日 2020.08.27
(73)专利权人 上海华力集成电路制造有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
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