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一种半导体结构，包括：一基板；一密封环区域，绕着基板上方的一电路区域，其中密封环区域包括一密封区域以及一过渡区域，且其中过渡区域设置在密封区域与电路区域之间；以及多个金属层的一堆叠，设置在电路区域、过渡区域及密封区域上方。上述堆叠的金属层中的一金属层包括：多个金属密封环，设置在密封区域中，包括沿着一第一方向的一第一分区以及沿着一第二方向的一第二分区，其中第二方向实质上垂直于第一方向；以及多个金属过渡线，沿着第一分区及第二分区设置在过渡区域中，其中金属过渡线纵向地沿着第一方向定向。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218585966 U
(45)授权公告日 2023.03.07
(21)申请号 202221957070.2
(22)申请日 2022.07.27
(30)优先权数据
63/227,254 2021
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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