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2023-03-12 发布于四川
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本实用新型提供了一种存储器，下电极包括第一部分及第二部分，第一部分从基底向上延伸至所述一设定高度区域，第二部分从所述设定高度区域向上延伸，而金属氧化物层包括第一膜层及第二膜层，所述第一膜层覆盖第一部分的表面及基底的表面，第二膜层覆盖第二部分的表面以及第一膜层的表面，第一膜层可以弥补下电极的下半部分，提高金属氧化物层的厚度均匀性，改善了存储器的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213483747 U (45)授权公告日 2021.06.18 (21)申请号 202022222907.6 (22)申请日 2020.09.30 (73)专利权人福建省晋华集成电路有限公司