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本实用新型属于半导体功率器件的封装技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件的封装结构，包括一基板、一氮化镓芯片以及一硅芯片；还包括；背板，设置于基板上，背板背向基板的一面设有两个沟槽，分别用于放置氮化镓芯片和硅芯片，两个沟槽部分交叉，以使硅芯片与氮化镓芯片部分接触。本实用新型的技术方案具有如下优点或有益效果：提供一种氮化镓器件的封装结构，通过在一块背板上设置两个沟槽即可实现对氮化镓器件的封装，降低封装成本及风险；同时，沟槽结构使得背板与芯片的背部结合更紧密，增强了对芯片的散热能力；此外，本实用新型的氮化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213519942 U
(45)授权公告日 2021.06.22
(21)申请号 202022128780.1 H01L 23/14 (2006.01)
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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